Was er macht#
Strom in die Basis (B) lässt einen viel größeren Strom vom Kollektor © zum Emitter (E) fließen. Mit dem Emitter an GND ist er ein Low-Side-Schalter wie ein N-MOSFET, aber stromgesteuert: Er braucht immer einen Basiswiderstand.
Der Basiswiderstand#
Damit er hart durchschaltet („in Sättigung geht“), gib der Basis etwa ein Zehntel des Kollektorstroms. Beispiel: 20 mA Last an einem 3.3 V-GPIO: I_B ≈ 2 mA, R_B = (3.3 V − 0.7 V) / 2 mA ≈ 1.3 kΩ → 1 kΩ.
MOSFET oder BJT?#
Bei einigen zehn mA geht beides; der BJT ist billig und verzeihend. Für Ampere nimm einen MOSFET: kein Basisstrom, weniger Wärme. Der SS8050 (1.5 A) aus dem Katalog hat dieselbe Pinbelegung wie der MMBT3904 (200 mA).
Stolperfallen#
- Kein Basiswiderstand = der GPIO treibt eine Diode gegen GND, und beide leiden.
- Sättigungsspannung: Ein eingeschalteter BJT verliert trotzdem 0.1–0.3 V.
- Pinbelegung: Im SOT-23 ist es bei diesen Teilen 1 = B, 2 = E, 3 = C. Bei TO-92 unterscheidet sie sich je nach Hersteller.
Footprint#
SOT-23. MMBT3904 (C20526) und SS8050 (C2150) sind Basic Parts bei JLCPCB.